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市政市延水治图1：非晶氮化硅（SiN）/氧化硅（SiO）超晶格侧壁调制生长超高密度均匀堆叠硅纳米线阵列结构。院预工作近期发表于美国化学学会《纳米快报》上：UnprecedentedUniform3DGrowthIntegrationof10-LayerStackedSiNanowiresonTightlyConfinedSidewallGrooves,NanoLetters20(10),10.1021/acs.nanolett.0c02950(2020)。

该项研究工作受到青年千人计划，南平国家自然科学基金，江苏省杰出青年基金和双创人才计划资助。针对此技术挑战，平区南京大学电子学院余林蔚教授和王军转副教授提出利用团队基础原创的平面IPSLS纳米线生长模式，平区在非晶氮化硅（SiN）/氧化硅（SiO）叠层刻蚀侧壁上，通过选择性刻蚀形成高密度引导台阶，平行生长制备出尺寸均匀（Dnw=28+2.4nm）的超高密度（间隔40nm）晶硅纳米线阵列。随着平面光刻工艺逐渐逼近物理极限，区污向垂直z方向要空间，采取更为先进的三维（3D）沟道结构已经成为国际公认的技术发展主流。

值得一提的是，理项通过此低温侧壁平行生长可以大规模制备多达10层的堆叠纳米线沟道结构，理项其中纳米线的直径、界面形貌和间隔密度可通过氮氧叠层的淀积厚度和刻蚀时间精确调控，从而避免了对高成本Si/GeSi多层叠层外延和极深紫外光刻技术的依赖。其中，目工博士生胡瑞金同学为第一作者，目工王军转副教授和余林蔚教授为共同通讯作者，研究工作得到了南京大学徐骏教授、施毅教授和陈坤基教授的悉心指导和大力支持。

程总承包图3：堆叠纳米线生长结构表征和尺寸调控统计分析。

近期GlobalFoundry，中国中南中标主城Samsung和Intel相继推出了新一代全包裹栅（gate-all-around,GAA）纳米线沟道晶体管器件，中国中南中标主城其中最为关键的垂直堆叠纳米线沟道（verticallystackeddiscretenanowirechannels）需要首先进行多层SiGe/Si叠层外延生长，然后通过极深紫外光刻和选择性Ge层刻蚀等工艺实现。正是这种不断自我超越的精神，市政市延水治让星港家居在智能产品上全面发力，创新性推出D20人工智能睡眠系统。

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